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推力測(cè)試機(jī)案例應(yīng)用:根據(jù)客戶要求對(duì)所送BGA進(jìn)行推力測(cè)試

發(fā)布時(shí)間:2023-11-23         文章來(lái)源:

BGA推拉力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是確保BGA焊接點(diǎn)質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)。一般來(lái)說(shuō),BGA焊接點(diǎn)的推力應(yīng)在10-30克之間,拉力應(yīng)在1-10克之間,且推拉力應(yīng)保持一定時(shí)間(一般為5秒鐘)不變,以確保焊點(diǎn)連接的牢固性。焊接工藝是影響B(tài)GA錫球推拉力性能的重要因素之一。如果焊接工藝存在問(wèn)題,如溫度不當(dāng)、焊接時(shí)間過(guò)長(zhǎng)等,可能會(huì)導(dǎo)致BGA焊點(diǎn)的強(qiáng)度和可靠性。

推拉力測(cè)試機(jī)的原理:

一般由測(cè)試架、主機(jī)、控制器、測(cè)量?jī)x表和手柄等部件組成,其中測(cè)試架的負(fù)載水平可以調(diào)節(jié),可以滿足不同程度的測(cè)試要求。此外測(cè)試架采用了液壓動(dòng)力,具有高速、高精度、低振動(dòng)等特點(diǎn),能夠較好地滿足實(shí)際應(yīng)用的要求;

BGA是一種芯片封裝的類型,英文 (Ball Grid Array)的簡(jiǎn)稱,封裝引腳為球狀柵格陣列在封裝底部,引腳都成球狀并排列成一個(gè)類似于格子的圖案,由此命名為BGA。主板控制芯片諸多采用此類封裝技術(shù),采用BGA技術(shù)封裝的內(nèi)存,可以使其在體積不變的情況下,容量提高2-3倍,BGA與TSOP相比,體積更小、散熱和電性能更好。

進(jìn)行BGA錫球推拉力測(cè)試時(shí),測(cè)試結(jié)果可能會(huì)受到多種因素的影響。以下是一些可能影響測(cè)試結(jié)果的因素:

1.測(cè)試溫度:溫度是影響B(tài)GA錫球推拉力測(cè)試的重要因素之一。在高溫環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試,BGA焊點(diǎn)的塑性變形會(huì)更明顯,而在低溫環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試,則可能會(huì)影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

2.測(cè)試速度:測(cè)試速度也會(huì)影響B(tài)GA錫球推拉力測(cè)試的結(jié)果。測(cè)試速度過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)力集中和應(yīng)變率增加,從而影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

3.球冠模塊和夾具:球冠模塊和夾具的設(shè)計(jì)和制造質(zhì)量也會(huì)影響B(tài)GA錫球推拉力測(cè)試的結(jié)果。如果球冠模塊或夾具存在設(shè)計(jì)或制造上的缺陷,可能會(huì)導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確或不可重復(fù)。

4.BGA芯片尺寸和結(jié)構(gòu):BGA芯片的尺寸和結(jié)構(gòu)也會(huì)影響B(tài)GA錫球推拉力測(cè)試的結(jié)果。BGA焊點(diǎn)的數(shù)量、大小、布局等因素都可能會(huì)影響焊點(diǎn)的承載能力和推拉力性能。


評(píng)估BGA封裝料件焊點(diǎn)的可靠性:

推力測(cè)試時(shí),推力方向是平行于被測(cè)物平坦的表面;推力測(cè)試后,推力值還應(yīng)結(jié)合放大鏡觀察焊接實(shí)際情況對(duì)焊點(diǎn)的可靠性進(jìn)行評(píng)估。理論上被測(cè)樣品宜多,推力值越大越好。

推力測(cè)試案例應(yīng)用:根據(jù)客戶要求對(duì)所送BGA進(jìn)行推力測(cè)試。

(1)測(cè)試方法

實(shí)驗(yàn)方法:JEDEC JESD22-B117B 2014

測(cè)試速度:100 μm/s

推力測(cè)試高度:10μm

(2)測(cè)試設(shè)備

設(shè)備:推拉力測(cè)試儀

型號(hào):LB-8600

(3) 測(cè)試結(jié)果

注: 1kgf = 9.81N
測(cè)試結(jié)果.png

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